产品中心
您的位置:首页  /   产品中心  /   场效应管 MOS  /   MOSFET  /   MEPG20A

MEPG20A

产品参数

参数
Technology Trench
marking MEPG20A
Type N+P
ESD Yes/No N
VDS V 60(N),-60(P)
VGS V ±20
VGS(TH) V 1.0~2.5(N),-1.0~-2.5(P)
ID(A) 20(N),-20(P)
RDS(mΩ)@VGS 10V Typ 30(N),35(P)
RDS(mΩ)@VGS 10V Max 38(N),45(P)
RDS(mΩ)@VGS 4.5V Typ 38(N),42(P)
RDS(mΩ)@VGS 4.5V Max 50(N),55(P)
RDS(mΩ)@VGS 2.5V Typ
RDS(mΩ)@VGS 2.5V Max

样品申请

客户信息

单位名称:
姓名/职位:
电话/手机:
邮箱:
地址:
应用领域:
网站地图