产品中心
您的位置:首页  /   产品中心  /   场效应管 MOS  /   MOSFET  /   MC0E100AP

MC0E100AP

产品参数

参数
Technology Trench
marking MC0E100AP
Type P
ESD Yes/No N
VDS V -40
VGS V ±20
VGS(TH) V -1~-2.5
ID(A) -100
RDS(mΩ)@VGS 10V Typ 4.5
RDS(mΩ)@VGS 10V Max 6
RDS(mΩ)@VGS 4.5V Typ 5.8
RDS(mΩ)@VGS 4.5V Max 8
RDS(mΩ)@VGS 2.5V Typ -
RDS(mΩ)@VGS 2.5V Max -

样品申请

客户信息

单位名称:
姓名/职位:
电话/手机:
邮箱:
地址:
应用领域:
网站地图